Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.7553 EUR
Availability: OutOfStock

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SIRS5100DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIRS5100DP-T1-GE3
Descripción	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 39H (Ta), 225H (Tc) 7.4W (Ta), 240W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIRS5100DP-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 102 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5400 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 7.4W (Ta), 240W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 39H (Ta), 225H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7.5V, 10V	Número de producto base SIRS5100
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.5mOhm a 20A, 10V