
SIRB40DP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIRB40DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 40A (Tc) 46.2W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIRB40DP-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 40A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3.25mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 45nC a 4.5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4290pF a 20V | |
Potencia - Máx. | 46.2W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,14000 € | 2,14 € |
| 10 | 1,37600 € | 13,76 € |
| 100 | 0,93780 € | 93,78 € |
| 500 | 0,75030 € | 375,15 € |
| 1.000 | 0,69002 € | 690,02 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,61351 € | 1.840,53 € |
| 6.000 | 0,57502 € | 3.450,12 € |
| 9.000 | 0,55923 € | 5.033,07 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,14000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,58940 € |




