
SIRA99DP-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIRA99DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRA99DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRA99DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIRA99DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 14 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 47.9A (Ta), 195A (Tc) 6.35W (Ta), 104W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIRA99DP-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1.7mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 260 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 10955 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 6.35W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 2,95000 € | 2,95 € |
10 | 1,92700 € | 19,27 € |
100 | 1,34270 € | 134,27 € |
500 | 1,16084 € | 580,42 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,94841 € | 2.845,23 € |
Precio unitario sin IVA: | 2,95000 € |
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Precio unitario con IVA: | 3,56950 € |