
SIRA60DP-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIRA60DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 14 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIRA60DP-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 0.94mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.2V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -16V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7650 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 57W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,74000 € | 1,74 € |
10 | 1,11000 € | 11,10 € |
100 | 0,75050 € | 75,05 € |
500 | 0,59638 € | 298,19 € |
1.000 | 0,56172 € | 561,72 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,48391 € | 1.451,73 € |
6.000 | 0,45892 € | 2.753,52 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,74000 € |
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Precio unitario con IVA: | 2,10540 € |