Name: SIR640ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR640ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.9161 EUR
Availability: InStock

SIR640ADP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIR640ADP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIR640ADP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIR640ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR640ADP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIR640ADP-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	41.6A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4240 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR640

Precio unitario sin IVA:	2,41000 €
Precio unitario con IVA:	2,91610 €

SIR640ADP-T1-GE3