Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7787 EUR
Availability: InStock

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SIR410DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIR410DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 35H (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SIR410
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.8mOhm a 20A, 10V