Name: SIJ4406DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4406DP-T1-GE3TR-ND
Price: 0.42796 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR4406DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Nuevo en DigiKey

Canal N Montaje en superficie 40 V 21.3A (Ta), 78A (Tc) 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) PowerPAK® SO-8

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SIJ4406DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIJ4406DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIJ4406DP-T1-GE3
Descripción	N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Plazo estándar del fabricante	55 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 21.3A (Ta), 78A (Tc) 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) PowerPAK® SO-8
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.75mOhm a 15A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 2.4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35.5 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Vgs (máx.) +20V, -16V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1851 pF @ 20 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21.3A (Ta), 78A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SIR4406DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SIR4406DP-T1-GE3TR-ND	0,36648 €	Equivalente paramétrico

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