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SIHW47N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHW47N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHW47N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) TO-247AD |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 273 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±20V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5682 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 417W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AD |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 72mOhm a 24A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (6)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH072N60F | onsemi | 41.669 | FCH072N60F-ND | 8,85000 € | Similar |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 6.480 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | 5,60000 € | Similar |
| IXFR80N60P3 | IXYS | 0 | IXFR80N60P3-ND | 13,46187 € | Similar |
| STW43N60DM2 | STMicroelectronics | 600 | 497-16343-5-ND | 6,81000 € | Similar |
| STW50N65DM2AG | STMicroelectronics | 430 | 497-16138-5-ND | 6,67000 € | Similar |
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 480 | 3,43679 € | 1.649,66 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,43679 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,15852 € |
