Name: SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 8.3248 EUR
Availability: InStock

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SIHR080N60E-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHR080N60E-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHR080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHR080N60E-T1-GE3
Descripción	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 51A (Tc) 500W (Tc) PowerPAK® 8 x 8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIHR080N60E-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 84mOhm a 17A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Serie E	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2557 pF @ 100 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 500W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 51A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 8 x 8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSMD, Ala de gaviota

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2.000	2,70906 €	5.418,12 €

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Precio unitario sin IVA:	6,88000 €
Precio unitario con IVA:	8,32480 €

SIHR080N60E-T1-GE3