Equivalente paramétrico
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SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHP21N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Plazo estándar del fabricante | 25 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-220AB |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 235mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 32W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 4,53000 € | 4,53 € |
| 50 | 2,36360 € | 118,18 € |
| 100 | 2,15420 € | 215,42 € |
| 500 | 1,78730 € | 893,65 € |
| 1.000 | 1,68637 € | 1.686,37 € |
| Precio unitario sin IVA: | 4,53000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 5,48130 € |





