Name: SIHP12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N65E-GE3-ND
Price: 3.2428 EUR
Availability: OutOfStock

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SIHP12N65E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHP12N65E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHP12N65E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIHP12N65E-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	380mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1224 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SIHP12

Precio unitario sin IVA:	2,68000 €
Precio unitario con IVA:	3,24280 €

SIHP12N65E-GE3