
SIHG25N50E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG25N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG25N50E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 25 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHG25N50E-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 145mOhm a 12A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1980 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 250W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 4,15000 € | 4,15 € |
| 25 | 2,37480 € | 59,37 € |
| 100 | 1,95170 € | 195,17 € |
| 500 | 1,61290 € | 806,45 € |
| 1.000 | 1,50408 € | 1.504,08 € |
| 2.000 | 1,49636 € | 2.992,72 € |
| Precio unitario sin IVA: | 4,15000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 5,02150 € |

