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SIHG22N50D-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SIHG22N50D-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG22N50D-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG22N50D-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 230mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 98 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1938 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 312W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
España