
SIHG039N60EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG039N60EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG039N60EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 61A (Tc) 357W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 126 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4323 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 357W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 40mOhm a 32A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 141,68000 € | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 111,85000 € | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 98,62000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 11,46000 € | 11,46 € |
| 10 | 7,99000 € | 79,90 € |
| 100 | 6,03160 € | 603,16 € |
| 500 | 5,29168 € | 2.645,84 € |
| Precio unitario sin IVA: | 11,46000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 13,86660 € |

