Name: SIHFBE30STRL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFBE30STRL-GE3TR-ND
Price: 2.6378 EUR
Availability: InStock

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SIHFBE30STRL-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHFBE30STRL-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHFBE30STRL-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHFBE30STRL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHFBE30STRL-GE3
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 800V
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 4.1H (Tc) 125W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.1H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3Ohm a 2.5A, 10V

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Cantidad

Todos los precios se expresan en EUR

Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	2,18000 €	2,18 €

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
800	0,77615 €	620,92 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,18000 €
Precio unitario con IVA:	2,63780 €

SIHFBE30STRL-GE3