Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 3.146 EUR
Availability: InStock

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SIHD6N80E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHD6N80E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHD6N80E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Granel	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 827 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 5.4A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base SIHD6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 940mOhm a 3A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
TK5P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3.664	TK5P60WRVQCT-ND	2,77000 €	Similar

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SIHD6N80E-GE3