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SIHD6N62E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD6N62E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD6N62E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 620V 6A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 6A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 34 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 578 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 900mOhm a 3A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD4S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 92 | 785-1265-1-ND | 1,87000 € | Similar |
| FQB8N60CTM | onsemi | 0 | FQB8N60CTMFSTR-ND | 0,00000 € | Similar |
| IPD60R750E6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R750E6BTMA1TR-ND | 0,00000 € | Similar |
| IXFA10N80P | IXYS | 29.556 | IXFA10N80P-ND | 5,60000 € | Similar |
| STB7ANM60N | STMicroelectronics | 726 | 497-13935-1-ND | 2,05000 € | Similar |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,61594 € | 1.847,82 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,61594 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,74529 € |
