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SIHD5N50D-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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MFR recomendado
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SIHD5N50D-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD5N50D-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD5N50D-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) DPAK |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Obsoleto | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 104W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor DPAK |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5Ohm a 2.5A, 10V | Número de producto base |
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Preguntas y respuestas sobre el producto
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2.484 | IRF830PBF-ND | 2,27000 € | MFR recomendado |
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4.768 | FDD5N50NZTMCT-ND | 1,47000 € | Similar |
| RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | RJK5030DPD-00#J2-ND | 0,65362 € | Similar |
| STD5N52K3 | STMicroelectronics | 0 | 497-10957-1-ND | 1,68000 € | Similar |
| STD5N52U | STMicroelectronics | 3.309 | 497-10017-1-ND | 1,55000 € | Similar |
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