
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD2N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9Ohm a 500mA, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,60000 € | 1,60 € |
| 10 | 1,01600 € | 10,16 € |
| 100 | 0,68190 € | 68,19 € |
| 500 | 0,53844 € | 269,22 € |
| 1.000 | 0,49230 € | 492,30 € |
| 3.000 | 0,43371 € | 1.301,13 € |
| 6.000 | 0,40423 € | 2.425,38 € |
| 12.000 | 0,37946 € | 4.553,52 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,60000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,93600 € |






