Canal N Montaje en superficie 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA
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SIHD2N80AE-GE3

N.º de producto de DigiKey
742-SIHD2N80AE-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHD2N80AE-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
E
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2.9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.9Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
180 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
SIHD2
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,51000 €1,51 €
100,95700 €9,57 €
1000,64210 €64,21 €
5000,50700 €253,50 €
1.0000,46355 €463,55 €
3.0000,40839 €1.225,17 €
6.0000,38063 €2.283,78 €
12.0000,37677 €4.521,24 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:1,51000 €
Precio unitario con IVA:1,82710 €
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