
SIHD180N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD180N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD180N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) DPAK |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1080 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor DPAK |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 195mOhm a 9.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4.975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | 3,38000 € | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,51000 € | 3,51 € |
| 10 | 2,29900 € | 22,99 € |
| 100 | 1,61240 € | 161,24 € |
| 500 | 1,31932 € | 659,66 € |
| 1.000 | 1,22516 € | 1.225,16 € |
| 3.000 | 1,10573 € | 3.317,19 € |
| 6.000 | 1,09531 € | 6.571,86 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,51000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,24710 € |

