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TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHB22N65E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHB22N65E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SIHB22N65E-GE3 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
22A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
180mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2415 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
SIHB22
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