SIHB22N60E-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
Reemplazos disponibles:

Similar

R6020KNJTL
Rohm Semiconductor
En stock: 3.386
Precio por unidad : 3,57000 €
Hoja de datos

Similar

R6024KNJTL
Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : 3,94000 €
Hoja de datos

Similar

STB21N65M5
STMicroelectronics
En stock: 4.504
Precio por unidad : 4,58000 €
Hoja de datos

Similar

STB24N60DM2
STMicroelectronics
En stock: 1.000
Precio por unidad : 3,10000 €
Hoja de datos

Similar

STB24N60M2
STMicroelectronics
En stock: 880
Precio por unidad : 2,87000 €
Hoja de datos

Similar

STB26NM60N
STMicroelectronics
En stock: 1.942
Precio por unidad : 6,50000 €
Hoja de datos

Similar

STB28NM60ND
STMicroelectronics
En stock: 1.427
Precio por unidad : 5,58000 €
Hoja de datos

Similar

STB30N65M5
STMicroelectronics
En stock: 1.166
Precio por unidad : 5,79000 €
Hoja de datos

Similar

STB31N65M5
STMicroelectronics
En stock: 0
Precio por unidad : 1,47350 €
Hoja de datos
Ver y comparar todos los reemplazos
TO-263-3
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N60E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHB22N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHB22N60E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
21A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
180mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1920 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
SIHB22
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

0 en stock
Consultar el plazo de entrega
Solicitud de notificación de existencias
Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
14,35000 €4,35 €
502,26240 €113,12 €
1002,06030 €206,03 €
5001,70632 €853,16 €
1.0001,59785 €1.597,85 €
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Precio unitario sin IVA:4,35000 €
Precio unitario con IVA:5,26350 €