Name: SIHB21N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB21N80AE-GE3-ND
Price: 4.0656 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-263 (D2PAK)

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SIHB21N80AE-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHB21N80AE-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHB21N80AE-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIHB21N80AE-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	E
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	235mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1388 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SIHB21

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	3,36000 €	3,36 €
10	2,20300 €	22,03 €
100	1,54610 €	154,61 €
500	1,26552 €	632,76 €
1.000	1,17538 €	1.175,38 €
2.000	1,12616 €	2.252,32 €

Paquete estándar del fabricante

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