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Producto del mercado
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SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB21N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 106 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2322 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 180mOhm a 11A, 10V | Número de producto base |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 5,36000 € | 5,36 € |
| 50 | 2,82620 € | 141,31 € |
| 100 | 2,58170 € | 258,17 € |
| 500 | 2,15328 € | 1.076,64 € |
| 1.000 | 2,01577 € | 2.015,77 € |
| 2.000 | 1,93990 € | 3.879,80 € |
| Precio unitario sin IVA: | 5,36000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 6,48560 € |
