TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB15N60E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHB15N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHB15N60E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
15A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
280mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1350 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
SIHB15
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
13,54000 €3,54 €
102,32800 €23,28 €
1001,63860 €163,86 €
5001,34442 €672,21 €
1.0001,24996 €1.249,96 €
2.0001,20918 €2.418,36 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:3,54000 €
Precio unitario con IVA:4,28340 €