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SIHB12N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB12N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB12N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1224 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 156W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V | Número de producto base |
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,29000 € | 3,29 € |
| 50 | 1,66260 € | 83,13 € |
| 100 | 1,50450 € | 150,45 € |
| 500 | 1,22748 € | 613,74 € |
| 1.000 | 1,13849 € | 1.138,49 € |
| 2.000 | 1,06370 € | 2.127,40 € |
| 5.000 | 1,00596 € | 5.029,80 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,29000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 3,98090 € |
