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Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SIHB12N60E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
58 nC @ 10 V
Embalaje
Granel
Vgs (máx.)
±30V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
937 pF @ 100 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
147W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (12)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
SIHB12N60ET1-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET1-GE3-ND0,81130 €Equivalente paramétrico
SIHB12N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET5-GE3-ND0,81130 €Equivalente paramétrico
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
12,56000 €2,56 €
101,65200 €16,52 €
1001,13750 €113,75 €
5000,91738 €458,69 €
1.0000,84664 €846,64 €
2.0000,78716 €1.574,32 €
5.0000,72284 €3.614,20 €
10.0000,71179 €7.117,90 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:2,56000 €
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