Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3-ND
Price: 2.9403 EUR
Availability: OutOfStock

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SIHB12N60E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHB12N60E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	380mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	937 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SIHB12

Precio unitario sin IVA:	2,43000 €
Precio unitario con IVA:	2,94030 €

SIHB12N60E-GE3