
SIHA11N80AE-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SIHA11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHA11N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 8H (Tc) 31W (Tc) TO-220 paquete completo |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHA11N80AE-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 804 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 31W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220 paquete completo |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 5.5A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,49000 € | 2,49 € |
| 50 | 1,22860 € | 61,43 € |
| 100 | 1,10610 € | 110,61 € |
| 500 | 0,89096 € | 445,48 € |
| 1.000 | 0,82184 € | 821,84 € |
| 2.000 | 0,76373 € | 1.527,46 € |
| 5.000 | 0,70088 € | 3.504,40 € |
| 10.000 | 0,68736 € | 6.873,60 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,49000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 3,01290 € |


