Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.7026 EUR
Availability: InStock

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SIDR626DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIDR626DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Plazo estándar del fabricante	29 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) PowerPAK® SO-8DC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	42.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5130 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8DC
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIDR626