Name: SIB441EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB441EDK-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9075 EUR
Availability: InStock

SIB441EDK-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIB441EDK-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIB441EDK-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIB441EDK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIB441EDK-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) PowerPAK® SC-75-6
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25.5mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1180 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-75-6
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SC-75-6
Número de producto base	SIB441

Precio unitario sin IVA:	0,75000 €
Precio unitario con IVA:	0,90750 €

SIB441EDK-T1-GE3