Name: SIB4316EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIB4316EDK-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7502 EUR
Availability: InStock

SIB4316EDK-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIB4316EDK-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIB4316EDK-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIB4316EDK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIB4316EDK-T1-GE3
Descripción	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 4.5A (Ta), 6A (Tc) 1.9W (Ta), 10W (Tc) PowerPAK® SC-75-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIB4316EDK-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	57mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-75-6
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SC-75-6

Precio unitario sin IVA:	0,62000 €
Precio unitario con IVA:	0,75020 €

SIB4316EDK-T1-GE3