
SIA817EDJ-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIA817EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIA817EDJ-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6 |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIA817EDJ-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 1.3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±12V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600 pF @ 15 V |
Estado de pieza Activo | Característica de FET Diodo Schottky (aislado) |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 65mOhm a 3A, 10V | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 0,76000 € | 0,76 € |
| 10 | 0,47500 € | 4,75 € |
| 100 | 0,30770 € | 30,77 € |
| 500 | 0,23554 € | 117,77 € |
| 1.000 | 0,21225 € | 212,25 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,18264 € | 547,92 € |
| 6.000 | 0,16773 € | 1.006,38 € |
| 9.000 | 0,16013 € | 1.441,17 € |
| 15.000 | 0,15159 € | 2.273,85 € |
| 21.000 | 0,14653 € | 3.077,13 € |
| 30.000 | 0,14162 € | 4.248,60 € |
| Precio unitario sin IVA: | 0,76000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 0,91960 € |


