SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SIA414DJ-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIA414DJ-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIA414DJ-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIA414DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIA414DJ-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 800mV a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF @ 4 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 8 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2V, 4.5V	Número de producto base SIA414
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 9.7A, 4.5V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SIA436DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	726	SIA436DJ-T1-GE3CT-ND	0,91000 €	MFR recomendado
DMN1019UFDE-7	Diodes Incorporated	1.129	DMN1019UFDE-7DICT-ND	0,73000 €	Similar