Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6093 EUR
Availability: InStock

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SIA413DJ-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIA413DJ-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 12H (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SC-70-6
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V	Número de producto base SIA413
Rds On (máx) @ Id, Vgs 29mOhm a 6.7A, 4.5V