Name: SI9926CDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.0449 EUR
Availability: InStock

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SI9926CDY-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	SI9926CDY-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI9926CDY-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI9926CDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI9926CDY-T1-E3
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 8A 3.1W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 8.3A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF a 10V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 3.1W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A	Número de producto base SI9926