Name: SI8824EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8824EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.5808 EUR
Availability: InStock

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SI8824EDB-T2-E1
cms-digikey-product-number	SI8824EDB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8824EDB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8824EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI8824EDB-T2-E1
cms-description	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
cms-standard-lead-time	13 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N Montaje en superficie 20 V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) 4-Microfoot
Hoja de datos	Hoja de datos
cms-eda-cad-models	SI8824EDB-T2-E1 Modelos

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	75mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	400 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa)	4-XFBGA, CSPBGA
Número de producto base	SI8824

Precio unitario sin IVA:	0,48000 €
Precio unitario con IVA:	0,58080 €

SI8824EDB-T2-E1