Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.7381 EUR
Availability: OutOfStock

SI8819EDB-T2-E1
N.º de producto de DigiKey	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI8819EDB-T2-E1
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.9A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 3.7V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	650 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-MICRO FOOT® (0.80x0.80)
Paquete / Caja (carcasa)	4-XFBGA
Número de producto base	SI8819

Precio unitario sin IVA:	0,61000 €
Precio unitario con IVA:	0,73810 €

SI8819EDB-T2-E1