
SI8410DB-T2-E1 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI8410DB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8410DB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8410DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI8410DB-T2-E1 |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 20 V 3.8A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 4-Micro pie (1x1) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.5V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 37mOhm a 1.5A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 850mV a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 16 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 620 pF @ 10 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-Micro pie (1x1) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 1,03000 € | 1,03 € |
10 | 0,76300 € | 7,63 € |
100 | 0,57750 € | 57,75 € |
500 | 0,45492 € | 227,46 € |
1.000 | 0,41512 € | 415,12 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3.000 | 0,36459 € | 1.093,77 € |
6.000 | 0,35475 € | 2.128,50 € |
9.000 | 0,34172 € | 3.075,48 € |
Precio unitario sin IVA: | 1,03000 € |
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Precio unitario con IVA: | 1,24630 € |