Name: SI7949DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7949DP-T1-E3TR-ND
Price: 2.4563 EUR
Availability: InStock

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SI7949DP-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	SI7949DP-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7949DP-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7949DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7949DP-T1-E3
Descripción	MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 3.2A 1.5W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7949DP-T1-E3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.2A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	64mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	1.5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SI7949