Name: SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7942DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.2955 EUR
Availability: InStock

SI7942DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI7942DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7942DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7942DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7942DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 3.8 A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7942DP-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	49mOhm a 5.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SI7942

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	1,12375 €	3.371,25 €
6.000	1,11549 €	6.692,94 €

Precio unitario sin IVA:	3,55000 €
Precio unitario con IVA:	4,29550 €

SI7942DP-T1-GE3