Name: SI7772DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7772DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3189 EUR
Availability: InStock

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SI7772DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI7772DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7772DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7772DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7772DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35.6A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7772DP-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28 nC @ 10 V
Serie SkyFET®, TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1084 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35.6A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SI7772
Rds On (máx) @ Id, Vgs 13mOhm a 15A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (5)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1.565	296-CSD17327Q5ACT-ND	1,40000 €	Similar
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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

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Precio unitario sin IVA:	1,09000 €
Precio unitario con IVA:	1,31890 €

SI7772DP-T1-GE3