Name: SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7252DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.2186 EUR
Availability: InStock

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SI7252DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7252DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 36.7A 46W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI7252DP-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 15A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC a 10V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1170pF a 50V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 46W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Dos canal N (doble)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 36.7A	Número de producto base SI7252