
SI7252ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7252ADP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8 |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI7252ADP-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26.5nC a 10V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1266pF a 50V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Potencia - Máx. 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Configuración Dos canal N (doble) | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8 Dual |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 18.6mOhm a 10A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,36000 € | 2,36 € |
| 10 | 1,52500 € | 15,25 € |
| 100 | 1,04520 € | 104,52 € |
| 500 | 0,83998 € | 419,99 € |
| 1.000 | 0,78398 € | 783,98 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,69030 € | 2.070,90 € |
| 6.000 | 0,64820 € | 3.889,20 € |
| 9.000 | 0,64051 € | 5.764,59 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,36000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 2,85560 € |




