
SI7232DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7232DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 20V 25A 23W Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI7232DN-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.4mOhm a 10A, 4.5V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32nC a 8V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1220pF a 10V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 23W |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Característica de FET Compuerta de nivel lógico | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8 Dual |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25A | Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,18000 € | 1,18 € |
| 10 | 0,74000 € | 7,40 € |
| 100 | 0,48890 € | 48,89 € |
| 500 | 0,38098 € | 190,49 € |
| 1.000 | 0,34620 € | 346,20 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,30203 € | 906,09 € |
| 6.000 | 0,27980 € | 1.678,80 € |
| 9.000 | 0,26847 € | 2.416,23 € |
| 15.000 | 0,25575 € | 3.836,25 € |
| 21.000 | 0,24822 € | 5.212,62 € |
| 30.000 | 0,24435 € | 7.330,50 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,18000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,42780 € |











