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SI7113DN-T1-E3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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SI7113DN-T1-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI7113DN-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7113DN-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7113DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI7113DN-T1-E3 |
Descripción | MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 100 V 13.2H (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI7113DN-T1-E3 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1480 pF @ 50 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 134mOhm a 4A, 10V |
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Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7113ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 127 | SI7113ADN-T1-GE3CT-ND | 0,84000 € | MFR recomendado |
| RQ3L050GNTB | Rohm Semiconductor | 6.556 | RQ3L050GNTBCT-ND | 1,10000 € | Similar |
| RQ7E110AJTCR | Rohm Semiconductor | 337 | RQ7E110AJTCRCT-ND | 1,36000 € | Similar |
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