Name: SI6423DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6423DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.7467 EUR
Availability: InStock

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SI6423DQ-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI6423DQ-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI6423DQ-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI6423DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI6423DQ-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) 8-TSSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI6423DQ-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.5mOhm a 9.5A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 800mV a 400µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Última compra	Disipación de potencia (Máx.) 1.05W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSSOP
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.2A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Número de producto base SI6423