Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.331 EUR
Availability: InStock

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SI5515CDC-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI5515CDC-T1-GE3
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 20V 4A 3.1W Montaje en superficie 1206-8 ChipFET™
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI5515CDC-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 36mOhm a 6A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 800mV a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.3nC a 5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 632pF a 10V
Estado de pieza Activo	Potencia - Máx. 3.1W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración Canal N y P	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductores planos
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4A	Número de producto base SI5515

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)