SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos de semiconductores discretos

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SI4946BEY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4946BEY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4946BEY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4946BEY-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 6.5A 3.7W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	41mOhm a 5.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	840pF a 30V
Potencia - Máx.	3.7W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI4946