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SI4936BDY-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4936BDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 6.9A 2.8W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 35mOhm a 5.9A, 10V |
Fabricante Vishay Siliconix | Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC a 10V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 530pF a 15V |
Estado de pieza Obsoleto | Potencia - Máx. 2.8W |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuración Dos canal N (doble) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Característica de FET Compuerta de nivel lógico | Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6.9A | Número de producto base |
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Recursos adicionales
Sustitutos (3)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
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Obsoleto
