Name: SI4931DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.9403 EUR
Availability: InStock

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SI4931DY-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI4931DY-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 12V 6.7A 1.1W Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI4931DY-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.7A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 350µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	52nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	1.1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI4931